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记忆体 DDR5 明年上市, SK Hynix 预研 D

2020-05-28 624 ℃

随着去年Q4季度 DRAM 晶片价格开始下跌,DDR4 记忆体的价格已经有了鬆动。现在的 DDR4 记忆体的下一代就是 DDR5,目前标準及晶片生产都完成了,不过尚无平台支援,最快今年底才会有 DDR5 记忆体上市。DDR5 记忆体的频率能达到6400Mbps,带宽比现有水平翻倍,但 SK Hynix日前透露说已经开始预研 DDR6 记忆体,频率还会进一步翻倍,预计可达12Gbps,带宽再次翻倍。

记忆体  DDR5 明年上市, SK Hynix 预研 D

DDR5 是新一代记忆体标準,相关规範去年已经公布了,三星、美光之前也宣布了旗下的 16Gb DDR5 记忆体了,三星去年甚至宣布了移动版的 LPDDR5-6400 记忆体。SK Hynix 去年宣布了 16Gb DDR5 号称是首个完全满足 JEDEC 标準的 DDR5 记忆体晶片,使用的也是1Ynm製程,频率达到了 DDR5-5200,带宽比 DDR4-3200 记忆体高了大约60%,是目前已宣布的 DDR5 记忆体中频率最高的,距离标準上限 DDR5-6400MHz 已不远。

至于 DDR5 的量产时间,SK Hynix 明确表示他们会在2020年量产 DDR5 记忆体,也就是至少还有一年多时间。在 SK Hynix 之前,美光也宣布过 DDR5 记忆体量产计划,他们预计会在2019年底开始量产 DDR5 记忆体。总之,不论哪家记忆体晶片厂,量产DDR5 记忆体的时间都不会很早,2020年才是起步时间。

但在技术研发方面,DDR5 记忆体的工作是已经完成了,下一步就是 DDR6 记忆体了,韩国先驱导报援引 SK Hynix 公司记忆体研发人员Kim Dong-kyun的消息称,他们已经开始预研 DDR6 记忆体了,预计需要5-6年时间才能完成。

目前业界还没有统一的 DDR6 规範,SK Hynix 方面提出了 DDR6 记忆体的两个方向,一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线,另一个则是跟系统技术结合起来,比如跟 CPU 结合。

继续提高频率的话,DDR6 记忆体的频率将达到12Gbps,比目前的 DDR5 记忆体标準上限 DDR5-6400 再翻一倍,带宽也会翻倍,意味着单条记忆体带宽能达到100GB/s。


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